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珪化タングステン(ケイ化タングステン,Tungsten Silicide,WSi2)の素材と特性

珪化タングステン(ケイ化タングステン,Tungsten Silicide,WSi2)は、式WSi2の無機化合物であり、導電性セラミック材料です。ケイ化タングステンは、強酸、フッ素、酸化剤、ハロゲン間物質などの物質と激しく反応する可能性があります。ケイ化タングステン(Tungsten Silicide)は、抵抗が60〜80μΩ cmの接触材料で、マイクロエレクトロニクスで使用されています。さらに、ケイ化タングステンは1000℃で形成されます。

マイクロエレクトロニクス分野で接触材料として使用され、抵抗率は 60 ～ 80 μΩ cm です。それは1000℃で形成されます。導電性を高め、信号速度を向上させるために、ポリシリコンラインのシャントとしてよく使用されます。タングステンシリサイド層は、化学気相堆積法によって作成することができます。ソースガスとして六フッ化タングステンと共にモノシランまたはジクロロシランを使用する。堆積膜は非化学量論的であり、より導電性の化学量論的形態に変換するためにアニーリングが必要です。タングステンシリサイドは、以前のタングステン膜の代替品です。タングステンシリサイドは、シリコンと他の金属の間のバリア層としても使用されます。

タングステンシリサイドは、マイクロスケール回路の製造用の薄膜として主に適用されるマイクロ電気機械システムでの使用にも価値があります。そのような目的のために、タングステンシリサイドの膜は、例えば、プラズマエッチングを用いてエッチングすることができます。

また、WSi2 は、耐酸化コーティングとしての用途に適しています。珪化タングステン(ケイ化タングステン,Tungsten Silicide,WSi2)は、導電性を高め、信号速度を上げるためにポリシリコンラインのシャントとしてよく使用されます。ケイ化タングステン層は、例えば化学気相堆積によって制作することができます。原料ガスとして六フッ化タングステンと(tungsten hexafluoride)と一緒にモノシラン(monosilane)またはジクロロシラン(dichlorosilane)を使用します。堆積されたフィルムは非化学量論的であり、より導電性のある化学量論的形態に変換するためにアニーリングが必要です。ケイ化タングステン(Tungsten Silicide)は、タングステン(Tungsten)フィルムを置き換えます。ケイ化タングステン（Tungsten Silicide）は、シリコンと他の金属との間のバリア層としても使用されます。

また、マイクロエレクトロメカニカルシステムでの使用に価値があり、マイクロスケール回路の製造のための薄膜として主に適用されます。このような用途で、珪化タングステン(ケイ化タングステン,Tungsten Silicide,WSi2)フィルムは、フッ素化窒素（ニトロゲントリフルオリド）ガスを用いてプラズマエッチングすることができます。ケイ化タングステンは耐酸化性コーティングであり、アプリケーションでうまく機能します。

珪化タングステン(ケイ化タングステン,Tungsten Silicide,WSi2)の材料と利用

ケイ化タングステン(Tungsten Silicide)は、マイクロエレクトロニクスにおける接触材料として使用されます。また、導電性を高め、信号速度を上げるためにポリシリコンラインのシャントとして使用されます。また、シリコン(Silicon)と他の金属との障壁としても機能します。これに加えて、微小電気機械システムおよび酸化防止コーティング剤にも使用されます。また、以前のタングステンフィルムの代替品として使用されています。

シリサイド（silicide）は、シリコンと（通常）より電気陽性の元素を組み合わせた化合物の一種です。シリコンは炭素よりも電気陽性です。シリサイドは炭化物よりもホウ化物に構造的に近いです。ホウ化物や炭化物と同様に、シリサイドの組成は共有結合分子として簡単に特定できません。シリサイドの化学結合は、導電性金属のような構造から共有結合またはイオン結合までさまざまです。ベリリウムを除くすべての非遷移金属のシリサイドが記載されています。

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